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內存

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內存
內存

內存簡單的說就是存儲程序以及數據的地方,可以分為物理內存虛擬內存,通常我們所所的都是指機器的物理內存,當物理RAM滿時(實際上,在RAM滿之前),計算機就會用硬盤空間做內存來彌補計算機RAM空間的缺乏。虛擬內存就在硬盤上創建了。

 

 

目錄

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概念編輯本段回目錄

計算機的組成結構中,有一個很重要的部分,就是存儲器存儲器是用來存儲程序數據的部件,對於計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器輔助存儲器,主存儲器又稱內存儲器(簡稱內存,輔助存儲器又稱外存儲器(簡稱外存)。外存通常是磁性介質或光盤,像硬盤軟盤,磁帶,CD等,能長期保存信息,並且不依賴於電來保存信息,但是由機械部件帶動,速度與CPU相比就顯得慢的多。內存指的就是主板上的存儲部件,是CPU直接與之溝通,並用其存儲數據的部件,存放當前正在使用的(即執行中)的數據程序,它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路,內存只用於暫時存放程序和數據,一旦關閉電源或發生斷電,其中的程序和數據就會丟失。

歷史編輯本段回目錄

大家都知道隨著電腦數據總線寬度的增加,電腦對內存數據線的寬度要求也不斷提高。內存數據線的寬度從早期的1bit提高到4bit、8bit、32bit和目前的64bit。內存接插形式也經歷了DIP內存、SIMM內存和DIMM內存時代。

 1、DIP內存 DIP內存即普通雙列直插內存芯片,主要應用於數據寬度為8bit的Apple機、PC機、PC/XT機時代。DIP內存直接焊接在主板上或插在主板的DIP插座上,早期的DIP僅有1bit數據,需以9片為一組安裝,其中8片為數據位,一片為校驗位

 2、SIMM內存 SIMM(Single-InLineMemoryModule),單邊接插內存模塊。SIMM內存是一條焊有多片內存芯片的印刷電路板,插在主板內存插槽中,它分30線SIMM和72線SIMM兩種類型。 30線SIMM內存條誕生於286時代,有8bit數據位(部分另加有1位校驗位)。對16bit數據總線的286、386SX主板均以兩條為一組安裝,對32bit數據總線的386DX、486主板則需以四條為一組安裝,30線內存條常見容量有256KB、1MB和4MB。 72線SIMM內存條誕生於486時代後期,有32bit數據位。對32bit數據總線的486主板,可以一條為一組安裝;對有64bit內存數據總線的586主板,需以二條為一組安裝。72線內存條常容量有4MB、8MB、16MB和32MB。

3、DIMM內存 DIMM(DualIn-LineMemoryModule)雙邊接插內存模塊。主板上的DIMM內存插槽兩邊均有金屬引腳線,每邊84線雙邊共有84*2=168條引腳,故而常稱其為168線內存條。 168線DIMM內存條有64bit數據位,在586級主板上安裝一條即能工作。目前大多主板均採用DIMM內存條。168線內存條的常見容量有32MB、64MB、128MB。

技術的發展歷程編輯本段回目錄

作為電腦主存儲器的DRAM存儲器問世以來,存儲器製造技術也不斷在提高,先後出現了FPMDRAM、EDODRAM、BEDODRAM、SDRAMDDRDRAM、RambusDRAM等多種存儲器,主要技術向高集成度、高速度、高性能方向發展。

FPMDRAM:又叫快頁內存,是傳統DRAM的改進型產品,在Intel286、386時代很流行。其主要特點是採用了不同於早期DRAM的列地址讀出方式,以30pin的FPMDRAM為例,每秒刷新率可以達到幾百次,在當時是非常驚人的,從而提高了內存的傳輸速率。但由於FPMDRAM使用了同一電路來存取數據的方式,因此也帶來一些弊端,例如FPMDRAM在存取時間上會有一定的時間間隔,而且在FPMDRAM中,由於存儲地址空間是按頁排列的,因此當訪問到某一頁面後,再切換到另一頁面會佔用額外的時鐘週期。

在Intel286、386時代,我們常常可以看到一塊PCB電路板上有著2至3枚雙排針腳的內存芯片,容量只有1MB或2MB,因此可以說早期的FPM內存容量是非常低的,這樣的容量擺到現在看來,幾乎是不可想像的,但當時就是這樣,能有4MB內存的電腦已是極高的配置了。進入Intel486時代以後,電腦的各個部分也都在飛速發展著,從電腦內部總線到操作系統沒有一處不在發生著變化。至此大容量內存的發展由此進入快車道。新的FPMDRAM內存開始採用72pin接口,由4/8顆內存芯片組成的4MB、8MB、16MB容量內存條逐漸大量面世,到了後期,32MB內存也漸露身影,按理說72pinSIMMFPM是32bit產品,比30pinSIMMFPM性能更好些,但當時72pinSIMMFPM價格相對較高,個人用戶考慮價格問題減緩了新品的推廣。至此,內存的類型也開始發生新的變化。

EDODRAM:一種被稱為EDO的採用新的尋址方式的內存開始流行。EDO內存(ExtendedDAtaOut)也稱「擴展數據輸出內存」。它的工作原理基本與FPMDRAM類似,取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲週期之間的時間間隔,可在把數據發給CPU的同時去訪問下一個頁面,故而速度要比普通的DRAM快出15%~30%。EDODRAM的工作電壓是5V,帶寬32bit,其接口方式多為72pin的SIMM類型,但也有168pin的DIMM類型。由於Pentium及其以上級別系統的數據總線寬度都是64bit的,所以EDODRAM與FPMDRAM都必須以一對一組的形式同時安裝,共同組成一個Bank。486後期的有些主板和大多586主板均支持EDODRAM。除了速度快、主板支持率高的特點外,EDODRAM在製造上只是在原來DRAM基礎上增加了少量EDO邏輯電路,因此成本與FPMDRAM相差不大,於是EDODRAM一上市就得到了很好的推廣,直到更高性能的SDRAM出現之後,EDODRAM才退出市場。

SD內存
SD內存
SDRAM:當個人電腦進入IntelPentium時代後,SDRAM開始為大家所熟悉了,並一直流行到至今。SD(SynchronousDynamic)RAM也稱為「同步動態內存」,都是168線的,帶寬為64bit,工作電壓為3.3V,目前最快的速度可達6ns。它的工作原理是將RAM與CPU以相同的時鐘頻率進行控制,使RAM和CPU的外頻同步,徹底取消等待時間,所以它的數據傳輸速度比EDORAM又至少快了13%。採用64bit的數據寬,所以只需一根內存條就可以安裝使用。

對SDRAM的支持是從Intel的VX控制芯片組開始的。VX芯片組集成了許多新的功能,其中包括支持168pin的SDRAM,在VX主板中,我們一般可以看到有四根可插72pin內存的SIMM內存插槽,此外還有一根可以插168pin的DIMM內存插槽,這也說明VX控制芯片是初次嘗試支持SDRAM,不過VX控制芯片只是過渡時期的產品,真正能夠完美支持SDRAM的是後來Intel發佈的TX控制芯片,再來看TX主板,一般SIMM已被縮減至一組,甚至沒有,而DIMM都有二根甚至三根。

在當前,因為CPU的超頻是很多人的共同話題,在經過CPU的再三發展後,外頻的概念慢慢地被建立起來。內存與CPU是有著極強聯繫的,CPU的外頻有了66MHz、100MHz等,於是內存的工作時鐘也被確立起來。因為,內存需要工作在CPU的外頻下,所以也就有了所謂的PC66、PC100等內存規範,甚至到後來的PC133規範。因為主頻越高,工作的速度也就越快,所以SDRAM相對於EDO等各型內存,其存取週期所花的時間大大縮短,常見的一般有10ns、8ns、7ns等。在CPU被超頻的同時,我們還接觸到了一個CL問題。CL是CASLatency的簡稱,CAS是指內存在存取數據的延遲時間,那麼這個數據就代表著內存的反應速度。一般在主板的BIOS中,我們可以看到CL參數的調協,選項有2或3,數字小代表內存的反應速度較快,可以快速響應CPU給予的指令,並在高速下作。這也是衡量SDRAM優劣與否的重要標誌之一。

隨著內存的進一步規範,我們可以看到在SDRAM內存條上有一個極小的芯片,一般以內存右下或右上的位置。這塊極小的芯片被稱為SPD。這塊SPD其實就是一塊2K的EPROM,它是在內存出廠時,由廠家將該內存的性能指標寫入其中,用戶在使用中,由主板將其內容讀出,並在BIOS中內存類型為Auto的條件上,按SPD的內容來調整工作參數,以加強系統穩定性。

DDRDRAM:DDR(DoubleDataRateDRAM),雙速率DRAM是DRAM技術的延續,與DRAM的主要區別是DDRDRAM能利用時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸數據,因此不需提高工作頻率就能成倍提高DRAM的速度,而且製成本並不高。此技術可應用於SDRAM和SGRAM,使得實際帶寬增加了兩倍。就實際功能來看,在100MHz下DDRSDRAM的理論帶寬甚至可以達到1.66GB/s,在133MHz下可達到2.1GB/s,200MHz更可達到3.2GB/s。可以看到DDRDRAM在未來的高速PC系統和服務器中有著極大的應用前景。目前威盛和其它一些內存廠商正大力推廣DDRSDRAM,欲使其成為下一代內存主流。AMDVIA等廠商也在探討其下一代主板芯片組中應用DDRSDRAM的可能性。

DDR內存現在漸漸成為內存市場中新的寵兒,因其合理的性價比從其誕生以來一直受到人們熱烈的期望,希望這一新的內存產品全面提升系統的處理速度和帶寬,就連對Rambus抱有無限希望的Intel公司也向外界宣佈將以最快的速度生產支持DDR內存的新一代P4系統。不難看出,DDR真的是大勢所趨。近來市場上已聞諸多廠商開始陸續推出自己的DDR內存產品,國際上少數內存生產商之一的金士頓公司(Kingston)其實在去年年底就已完成了批量生產DDR內存的生產線的建設,現在金士頓公司(Kingston)已準備開始向全球接受訂單開始大量供貨了。那麼究竟什麼是DDR內存呢?其技術優勢又在何處呢?請讓我們先瞭解一下這樣新的事物。 DDR是DoubleDataRateSDRAM的縮寫(雙倍數據速率)。DDRSDRAM內存技術是從主流的PC66,PC100,PC133SDRAM技術發展而來。這一新技術使新一代的高性能計算機系統成為可能,包括台式機、工作站服務器、便攜式,也包括新的通信產品,如路由器。DDR內存目前被廣泛應用於高性能圖形適配器

DDRDIMMs與SDRAMDIMMs的物理元數相同,但兩側的線數不同,DDR應用184pins,而SDRAM則應用168pins。因此,DDR內存不向後兼容SDRAM,要求專為DDR設計的主板與系統。 DDR內存技術是成熟的PC100和PC133SDRAM技術的革命性進步。DDR內存芯片由半導體製造商用現有的晶圓片,程序及測試設備生產,從而降低了內存芯片的成本。Kingston能夠利用其現有的製造與測試設備在全球範圍內提供DDR模塊。主要的技術及芯片公司,包括Intel,AMD,ViaTechnology,AcerLabs(Ali),SiliconIntegratedSystems(SiS),nVidia,ATI,及ServerWorks都已宣佈支持DDR內存。主板及系統支持DDR內存在2000的Q4中已獲引進,在2001年將被大量採用。 DDRDIMM的規範由JEDEC定案。JEDEC是電子行業聯盟的半導體工業標準化組織。大約300家會員公司提交行業中每一環節的標準,積極合作來發展符合行業需求的標準體系。Kingston是JEDEC的長期會員,並且是JEDEC的理事會成員。

DDR2與DDR的區別編輯本段回目錄

在瞭解DDR2內存諸多新技術前,先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。

DDR1內存
DDR1內存
1、延遲問題:從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都採用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實際頻率為200MHz,而DDR2則可以達到400MHz。這樣也就出現了另一個問題:在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中,後者的內存延時要慢於前者。舉例來說,DDR200和DDR2-400具有相同的延遲,而後者具有高一倍的帶寬。實際上,DDR2-400和DDR400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。

2、封裝和發熱量: DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力,而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限制。 DDR內存通常採用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當頻率更高時,它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。 DDR2內存採用1.8V電壓,相對於DDR標準的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量,這一點的變化是意義重大的。

DD2內存
DD2內存
DDR2採用的新技術:除了以上所說的區別外,DDR2還引入了三項新的技術,它們是OCD、ODT和PostCAS。 OCD(Off-ChipDriver):也就是所謂的離線驅動調整,DDRII通過OCD可以提高信號的完整性。DDRII通過調整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性;通過控制電壓來提高信號品質。 ODT:ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDRSDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上,不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的,終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率,終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低;終結電阻高,則數據線的信噪比高,但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組,還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻,這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號品質,這是DDR不能比擬的。 PostCAS:它是為了提高DDRII內存的利用效率而設定的。在PostCAS操作中,CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號後面的一個時鐘週期,CAS命令可以在附加延遲(AdditiveLatency)後面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(AdditiveLatency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鐘週期,因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。總的來說,DDR2採用了諸多的新技術,改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。

帶寬編輯本段回目錄

1.何謂內存帶寬

從功能上理解,我們可以將內存看作是內存控制器(一般位於北橋芯片中)與CPU之間的橋樑或與倉庫。顯然,內存的容量決定「倉庫」的大小,而內存的帶寬決定「橋樑」的寬窄,兩者缺一不可,這也就是我們常常說道的「內存容量」與「內存速度」。除了內存容量與內存速度,延時週期也是決定其性能的關鍵。當CPU需要內存中的數據時,它會發出一個由內存控制器所執行的要求,內存控制器接著將要求發送至內存,並在接收數據時向CPU報告整個週期(從CPU到內存控制器,內存再回到CPU)所需的時間。毫無疑問,縮短整個週期也是提高內存速度的關鍵,這就好比在橋樑上工作的警察,其指揮疏通能力也是決定通暢度的因素之一。更快速的內存技術對整體性能表現有重大的貢獻,但是提高內存帶寬只是解決方案的一部分,數據在CPU以及內存間傳送所花的時間通常比處理器執行功能所花的時間更長,為此緩衝區被廣泛應用。其實,所謂的緩衝器就是CPU中的一級緩存與二級緩存,它們是內存這座「大橋樑」與CPU之間的「小橋樑」。事實上,一級緩存與二級緩存採用的是SRAM,我們也可以將其寬泛地理解為「內存帶寬」,不過現在似乎更多地被解釋為「前端總線」,所以我們也只是簡單的提一下。事先預告一下,「前端總線」與「內存帶寬」之間有著密切的聯繫,我們將會在後面的測試中有更加深刻的認識。

2.內存帶寬的重要性

內存帶寬為何會如此重要呢?在回答這一問題之前,我們先來簡單看一看系統工作的過程。基本上當CPU接收到指令後,它會最先向CPU中的一級緩存(L1Cache)去尋找相關的數據,雖然一級緩存是與CPU同頻運行的,但是由於容量較小,所以不可能每次都命中。這時CPU會繼續向下一級的二級緩存(L2Cache)尋找,同樣的道理,當所需要的數據在二級緩存中也沒有的話,會繼續轉向L3Cache(如果有的話,如K6-2+和K6-3)、內存和硬盤。由於目前系統處理的數據量都是相當巨大的,因此幾乎每一步操作都得經過內存,這也是整個系統中工作最為頻繁的部件。如此一來,內存的性能就在一定程度上決定了這個系統的表現,這點在多媒體設計軟件和3D遊戲中表現得更為明顯。3D顯卡的內存帶寬(或許稱為顯存帶寬更為合適)的重要性也是不言而喻的,甚至其作用比系統的內存帶寬更為明顯。大家知道,顯示卡在進行像素渲染時,都需要從顯存的不同緩衝區中讀寫數據。這些緩衝區中有的放置描述像素ARGB(阿爾法通道,紅,綠,藍)元素的顏色數據,有的放置像素Z值(用來描述像素的深度或者說可見性的數據)。顯然,一旦產生Z軸數據,顯存的負擔會立即陡然提升,在加上各種材質貼圖、深度複雜性渲染3D特效.

3.如何提高內存帶寬

內存帶寬的計算方法並不複雜,大家可以遵循如下的計算公式:帶寬總線寬度×總線頻率×一個時鐘週期內交換的數據包個數。很明顯,在這些乘數因子中,每個都會對最終的內存帶寬產生極大的影響。然而,如今在頻率上已經沒有太大文章可作,畢竟這受到製作工藝的限制,不可能在短時間內成倍提高。而總線寬度和數據包個數就大不相同了,簡單的改變會令內存帶寬突飛猛進。DDR技術就使我們感受到提高數據包個數的好處,它令內存帶寬瘋狂地提升一倍。當然,提高數據包個數的方法不僅僅局限於在內存上做文章,通過多個內存控制器並行工作同樣可以起到效果,這也就是如今熱門的雙通道DDR芯片組(如nForce2、I875/865等)。事實上,雙通道DDR內存控制器並不能算是新發明,因為早在RAMBUS時代,RDRAM就已經使用了類似技術,只不過當時RDRAM的總線寬度只有16Bit,無法與DDR的64Bit相提並論。內存技術發展到如今這一階段,四通道內存控制器的出現也只是時間問題,VIA的QBM技術以及SiS支持四通道RDRAM的芯片組,這些都是未來的發展方向。至於顯卡方面,我們對其顯存帶寬更加敏感,這甚至也是很多廠商用來區分高低端產品的重要方面。同樣是使用DDR顯存的產品,128Bit寬度的產品會表現出遠遠勝過64Bit寬度的產品。當然提高顯存頻率也是一種解決方案,不過其效果並不明顯,而且會大幅度提高成本。值得注意的是,目前部分高端顯卡甚至動用了DDRII技術,不過至少在目前看來,這項技術還為時過早。

4.如何識別產品的內存帶寬

對於內存而言,辨別內存帶寬是一件相當簡單的事情,因為SDRAMDDR、RDRAM這三種內存在外觀上有著很大的差別,大家通過下面這副圖就能清楚地認識到。唯一需要我們去辨認的便是不同頻率的DDR內存。目前主流DDR內存分為DDR266、DDR333以及DDR400,其中後三位數字代表工作頻率。通過內存條上的標識,自然可以很方便地識別出其規格。相對而言,顯卡上顯存帶寬的識別就要困難一些。在這裡,我們應該抓住「顯存位寬」和「顯存頻率」兩個重要的技術指標。顯存位寬的計算方法是:單塊顯存顆粒位寬×顯存顆粒總數,而顯存頻率則是由"1000/顯存顆粒納秒數"來決定。一般來說,我們可以從顯存顆粒上一串編號的最後2兩位看出其納秒數,從中也就得知其顯存頻率。至於單塊顯存顆粒位寬,我們只能在網上查詢。HY三星、EtronTech(鈺創)等都提供專用的顯存編號查詢網站,相當方便。如三星的顯存就可以到如下的地址下載,只要輸入相應的顯存顆粒編號即可(http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm)。此外,使用RivaTuner也可以檢測顯卡上顯存的總位寬,大家打開RivaTuner在MAIN菜單即可看到。

工作原理編輯本段回目錄

系統存儲器
系統存儲器

既然內存是用來存放當前正在使用的(即執行中)的數據程序,那麼它是怎麼工作的呢?我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存(即DRAM),動態內存中所謂的「動態」,指的是當我們將數據寫入DRAM後,經過一段時間,數據會丟失,因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。以相同速度高速地、隨機地寫入和讀出數據(寫入速度和讀出速度可以不同)的一種半導體存儲器。簡稱RAM。RAM的優點是存取速度快、讀寫方便,缺點是數據不能長久保持,斷電後自行消失,因此主要用於計算機主存儲器等要求快速存儲的系統。按工作方式不同,可分為靜態和動態兩類。靜態隨機存儲器(SRAM)的單元電路是觸發器,存入的信息在規定的電源電壓下便不會改變。SRAM速度快,使用方便。動態隨機存儲器 ( DRAM ) 的單元由一個金屬-氧化物-半導體(MOS)電容和一個MOS晶體管構成,數據以電荷形式存放在電容之中 ,需每隔 2~4毫秒對單元電路存儲信息重寫一次(刷新)。DRAM存儲單元器件數量少,集成度高,應用廣泛。

虛擬內存編輯本段回目錄

虛擬內存的抽像模型
虛擬內存的抽像模型

內存在計算機中的作用很大,電腦中所有運行的程序都需要經過內存來執行,如果執行的程序很大或很多,就會導致內存消耗殆盡。為了解決這個問題,Windows中運用了虛擬內存技術,即拿出一部分硬盤空間來充當內存使用,當內存佔用完時,電腦就會自動調用硬盤來充當內存,以緩解內存的緊張。舉一個例子來說,如果電腦只有128MB物理內存的話,當讀取一個容量為200MB的文件時,就必須要用到比較大的虛擬內存,文件被內存讀取之後就會先儲存到虛擬內存,等待內存把文件全部儲存到虛擬內存之後,跟著就會把虛擬內裡儲存的文件釋放到原來的安裝目錄裡了。下面,就讓我們一起來看看如何對虛擬內存進行設置吧。

虛擬內存的設置 編輯本段回目錄

虛擬內存的設置
虛擬內存的設置

對於虛擬內存主要設置兩點,即內存大小和分頁位置,內存大小就是設置虛擬內存最小為多少和最大為多少;而分頁位置則是設置虛擬內存應使用那個分區中的硬盤空間。對於內存大小的設置,如何得到最小值和最大值呢?你可以通過下面的方法獲得:選擇「開始→程序附件系統工具系統監視器」(如果系統工具中沒有,可以通過「添加/刪除程序」中的Windows安裝程序進行安裝)打開系統監視器,然後選擇「編輯→添加項目」,在「類型」項中選擇「內存管理程序」,在右側的列表選擇「交換文件大小」。這樣隨著你的操作,會顯示出交換文件值的波動情況,你可以把經常要使用到的程序打開,然後對它們進行使用,這時查看一下系統監視器中的表現值,由於用戶每次使用電腦時的情況都不盡相同,因此,最好能夠通過較長時間對交換文件進行監視來找出最符合您的交換文件的數值,這樣才能保證系統性能穩定以及保持在最佳的狀態。

找出最合適的範圍值後,在設置虛擬內存時,用鼠標右鍵點擊「我的電腦」,選擇「屬性」,彈出系統屬性窗口,選擇「性能」標籤,點擊下面「虛擬內存」按鈕,彈出虛擬內存設置窗口,點擊「用戶自己指定虛擬內存設置」單選按鈕,「硬盤」選較大剩餘空間的分區,然後在「最小值」和「最大值」文本框中輸入合適的範圍值。如果您感覺使用系統監視器來獲得最大和最小值有些麻煩的話,這裡完全可以選擇「讓Windows管理虛擬內存設置」。

詳細圖解:

1、在桌面找到「我的電腦」圖標,在圖標上彈擊鼠標右鍵,選擇「屬性」。
內存
2、出現「系統屬性」對話框,如圖選擇「高級」卡片,在「性能」項選取「設置」。
內存
3、在彈出的對話框「性能選項」選取「高級」,在「虛擬內存」下選擇「更改」按鈕。
內存
4、選擇「自定義大小」,然後在下方輸入你想改變的虛擬內存,然後全部單擊「確定」。(如果想使用系統默認的值,選擇「系統管理的大小」再確定就可以了。一般情況下建議保留系統默認的虛擬內存值)
內存

調整分頁位置

Windows 9x的虛擬內存分頁位置,其實就是保存在C盤根目錄下的一個虛擬內存文件(也稱為交換文件)Win386.swp,它的存放位置可以是任何一個分,如果系統盤C容量有限,我們可以把Win386.swp調到別的分區中,方法是在記事本中打開System.ini(C:Windows下)文件,在[386Enh]小節中,將「PagingDrive=C:WindowsWin386.swp」,改為其他分區的路徑,如將交換文件放在D:中,則改為「PagingDrive=D:Win386.swp」,如沒有上述語句可以直接鍵入即可。

而對於使用Windows 2000和Windows XP的,可以選擇「控制面板→系統→高級→性能」中的「設置→高級→更改」,打開虛擬內存設置窗口,在驅動器[卷標]中默認選擇的是系統所在的分區,如果想更改到其他分區中,首先要把原先的分區設置為無分頁文件,然後再選擇其他分區。

或者,WinXP一般要求物理內存在256M以上。如果你喜歡玩大型3D遊戲,而內存(包括顯存)又不夠大,系統會經常提示說虛擬內存不夠,系統會自動調整(虛擬內存設置為系統管理)。

如果你的硬盤空間夠大,你也可以自己設置虛擬內存,具體步驟如下:右鍵單擊「我的電腦」→屬性→高級→性能 設置→高級→虛擬內存 更改→選擇虛擬內存(頁面文件)存放的分區→自定義大小→確定最大值和最小值→設置。一般來說,虛擬內存為物理內存的1.5倍,稍大一點也可以,如果你不想虛擬內存頻繁改動,可以將最大值和最小值設置為一樣。

虛擬內存使用技巧

對於虛擬內存如何設置的問題,微軟已經給我們提供了官方的解決辦法,對於一般情況下,我們推薦採用如下的設置方法:

(1)在Windows系統所在分區設置頁面文件,文件的大小由你對系統的設置決定。具體設置方法如下:打開"我的電腦"的"屬性"設置窗口,切換到"高級"選項卡,在"啟動和故障恢復"窗口的"寫入調試信息"欄,如果你採用的是"無",則將頁面文件大小設置為2MB左右,如果採用"核心內存存儲"和"完全內存存儲",則將頁面文件值設置得大一些,跟物理內存差不多就可以了。

小提示:對於系統分區是否設置頁面文件,這裡有一個矛盾:如果設置,則系統有可能會頻繁讀取這部分頁面文件,從而加大系統盤所在磁道的負荷,但如果不設置,當系統出現藍屏死機(特別是STOP錯誤)的時候,無法創建轉儲文件 (Memory.dmp),從而無法進行程序調試和錯誤報告了。所以折中的辦法是在系統盤設置較小的頁面文件,只要夠用就行了。
(2)單獨建立一個空白分區,在該分區設置虛擬內存,其最小值設置為物理內存的1.5倍,最大值設置為物理內存的3倍,該分區專門用來存儲頁面文件,不要再存放其它任何文件。之所以單獨劃分一個分區用來設置虛擬內存,主要是基於兩點考慮:其一,由於該分區上沒有其它文件,這樣分區不會產生磁盤碎片,這樣能保證頁面文件的數據讀寫不受磁盤碎片的干擾;其二,按照Windows對內存的管理技術,Windows會優先使用不經常訪問的分區上的
頁面文件,這樣也減少了讀取系統盤裡的頁面文件的機會,減輕了系統盤的壓力。
(3)其它硬盤分區不設置任何頁面文件。當然,如果你有多個硬盤,則可以為每個硬盤都創建一個頁面文件。當信息分佈在多個頁面文件上時,硬盤控制器可以同時在多個硬盤上執行讀取和寫入操作。這樣系統性能將得到提高。
注意:
允許設置的虛擬內存最小值為2MB,最大值不能超過當前硬盤的剩餘空間值,同時也不能超過32位操作系統內存尋址範圍——4GB。

內存是怎樣煉成的!編輯本段回目錄

金士頓設在台灣的工廠,並記錄了內存的生產流程,接下來就讓我們跟隨AnandTech的編輯一起來看看內存是怎樣煉成的。

金士頓在台灣的工廠Hsin-Chu製造基地主要負責內存組裝,並沒有晶片製造能力。內存原料由其他金士頓工廠製造,或從其他品牌工廠購買。工廠擁有4條Surface Mount Technology (SMT表面組裝技術)生產線,能夠生產DDR,DDR2和閃存。

內存生產完全由組裝程序自動完成,工人直到最後質檢時才會接觸到內存。質檢是一個必不可少的步驟,焊接好的DIMM將通過光學檢查站進行質檢。每個板卡和芯片自動檢驗焊接的完整性,質量差的產品將被丟棄。經過檢測後,DIMM將被貼上標籤,然後DIMM進入下個生產階段,DIMM被分割成具有8個PCB的獨立DIMM。

 內存  內存

 內存

內存 


儘管完成的DIMM已經接受了機器檢驗,但是金士頓為了保證100%的產品合格率,還將進行最後的產品質量檢驗,切割好的DIMM被裝在托盤中準備進行最後檢測。在最後的質量檢驗中,檢測人員將模擬最終用戶的電腦平台,以保證系統的穩定性。所有產品檢測合格後,才能封裝上市

常見品牌編輯本段回目錄

現代(HY)  

個人認為,原廠現代和三星內存是目前兼容性穩定性最好的內存條,其比許多廣告吹得生猛的內存條要來得實在得多,此外,現代"Hynix(更專業的稱呼是海力士半導體HynixSemiconductorInc.)"的D43等顆粒也是目前很多高頻內存所普遍採用的內存芯片。目前,市場上超值的現代高頻條有現代原廠DDR500內存,採用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內存芯片,其性價比很不錯。  

金士頓(Kingston)  

作為世界第一大內存生產廠商的Kingston,其金士頓內存產品在進入中國市場以來,就憑借優秀的產品質量和一流的售後服務,贏得了眾多中國消費者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大內存生產廠商,然而Kingston品牌的內存產品,其使用的內存顆粒確是五花八門,既有Kingston自己顆粒的產品,更多的則是現代(Hynix)、三星(Samsung)、南亞(Nanya)、華邦(Winbond)、英飛凌(Infinoen)、美光(Micron)等等眾多廠商的內存顆粒。  

Kingston的高頻內存有採用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內存等,其分屬ValueRam系列(經濟型)和HyperX系列。  

Kingston的ValueRam系列,價格與普通的DDR400一樣,但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯,Kingston500MHz的HyperX超頻內存(HyperXPC4000)有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市,其電壓為2.6伏特,採用鋁制散熱片加強散熱,使用三星K4H560838E-TCCC芯片,在DDR400下的CAS值為2.5,DDR500下的CAS值為3,所以性能也一般。  

利屏  

利屏是進來新近崛起的一個內存新秀。利屏科技(深圳)有限公司總部設在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮舊金山。公司致力於研發、生產和銷售利屏LPT極限高端內存條產品。公司擁有一支技術過硬的產品研發團隊和足跡遍及中、外的專業銷售隊伍。產品深受廣大遊戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以「超頻之神」的美譽。

「利屏」眼鏡蛇DDR400系列內存也是專門為追求性能的玩家所設計,它採用的也是D43的顆粒,但是時序更高,為了加強散熱更是加上了金屬散熱片,其超頻能力相當強勁,在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內存,它採用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒,運行在DDR466的時候內存時序為3-4-4-8,但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。  

而利屏的高端極限內存DDR560,提供單片256MB和512MB包裝,同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構,每條內存的表面均有銅質散熱片進行散熱及確保運行的穩定性,其CAS值均為3,只能說剛好能用而已。

勤茂(TwinMOS)  

勤茂(TwinMOS)CAS為2的DDR433內存,採用CSP技術裝—這款,勤茂DDR433內存的CASLatency控制在2,BurstLength控制在2、4、8,性能指數不錯。此外,內存外面包裹著金黃色內存罩,能起到散熱和屏蔽的作用,內存顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右,其可超性也不含糊,性價比不錯。  

勝創(Kingmax)  

成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業(CommonwealthMagazine,May2000),同時也是內存模組的引領生產廠商。  

通過嚴格的質量控制和完善的研發實力,勝創科技獲得了ISO-9001證書,同時和IT行業中最優秀的企業建立了合作夥伴關係。公司以不斷創新的設計工藝和追求完美的信念生產出了高性能的尖端科技產品,不斷向移動計算領域提供價廉物美的最出色的內存模組。  

在SDRAM時期,Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國,開啟了內存產品的高速時代,也奠定了Kingmax在內存領域領先的地位。而今DDR來了,從266到300,再到現在的500,Kingmax始終保持著領先的位置,繼續引領著內存發展的方向。說到KingMax內存,就不能不說到它獨特的「TinyBGA」封裝技術專利——作為全球領先的DRAM生產廠商,勝創科技在1997年宣佈了第一款基於TinyBGA封裝技術的內存模組,這項屢獲殊榮的封裝技術能以同樣的體積大小封裝3倍於普通技術所達到的內存容量。同時,勝創科技還研製了為高端服務器工作站應用設計的1GBStackBGA模組、為DDR應用設計的FBGA模組以及為RambusRIMM應用設計的速度高達1.6GB/秒的flip-chipBGA/DCA模組。  

Kingmax勝創推出的低價版的DDR433內存產品,該產品採用傳統的TSOP封裝內存芯片,工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRamPC3500系列的售價和PC3200處於同一檔次,這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外,Kingmax也推出了CL-3的DDR500內存產品,其性能和其它廠家的同類產品大同小異。  

海盜旗(Corsair)  

Corsair(海盜旗)是一家較有特點的內存品牌,其內存條都包裹著一層黑色金屬外殼,這層金屬殼緊貼在內存顆粒上,一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產品如CorsairTwinXPC3200(CMX512-3200XL)內存,其在DDR400下,可以穩定運行在CL2-2-2-5-T1下,將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半,這款內存並不比一些DDR500產品差,而且Corsair為這種內存提供終身保修。  

而CorsairDDR500內存採用Hynix芯片,這款XMS4000能穩定運行在DDR500,並且可以超頻到DDR530,在DDR500下其CAS值為2.5,性能還算不錯。  

宇瞻(Apacer)  

在內存市場,Apacer一直以來都有著較好的聲譽,其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時,在DDR內存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團,實力非常雄厚。初期專注於內存模組行銷,並已經成為全球前四大內存模組供應商之一。據權威人士透露,在國際上,宇瞻的品牌知名度以及產品銷量與目在前國內排名第一的品牌持平甚至超過,之所以在國內目前沒有坐到龍頭位置,是因為宇瞻對於品牌宣傳一直比較低調,精力更多投入到產品研發生產而不是品牌推廣當中。

最近,宇瞻相應推出的"宇瞻金牌內存"系列。宇瞻金牌內存產品線特別為追求高穩定性、高兼容性的內存用戶而設計。宇瞻金牌內存堅持使用100%原廠測試顆粒(決不使用OEM顆粒)是基於現有最新的DDR內存技術標準設計而成,經過ISO9002認證之工廠完整流程生產製造。採用20微米金手指高品質6層PCB板,每條內存都覆蓋有美觀精質的黃金色金屬銘牌,而且通過了最高端的Advantest測試系統檢測後,採用高速SMT機台打造,經過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試,並經過全球知名系統主板大廠完全兼容性測試,品質與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500內存(PC4000內存)採用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質相當不錯,在手中有種沉甸甸的感覺,為了防止氧化,其表面被鍍成了金色。內存顆粒方面,這款內存採用了三星的內存顆粒,具體型號為:K4H560838E-TCC5,為32Mx8規格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒,標準工作電壓2.6V+-0.1V,標準運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3,性能將就。  

金邦(Geil)  

金邦科技股份有限公司是世界上專業的內存模塊製造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字註冊的內存品牌,並以中文命名的產品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內市場,在極短的時間內達到行業銷量遙遙領先。第一支"量身訂做,終身保固"記憶體模組的內存品牌,首推"量身訂做"系列產品,使計算機進入最優化狀態。在聯合電子設備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下,率先推出第一支"DDR400"並成功於美國上市。  金邦高性能、高品質和高可靠性的內存產品,引起業界和傳媒的廣泛關注。在過去幾年中,金邦內存多次榮獲國內權威雜誌評為讀者首選品牌和編輯選擇獎,穩奪國內存儲器市場佔有率三強。  

金邦的GeilPlatinum系列的DDR500內存(PC4000),採用TSOPII封裝,使用了純銅內存散熱片,可較妥善的解決內存的散熱問題。採用六層低電磁干擾PCB板設計;單條容量256MB,在內存芯片上做了整體打磨並上打上了Geil的印記,"號稱"使用了4ns的內存芯片,但仍可以看出其是採用Hynix的內存顆粒。額定工作頻率可達500MHz,在內存參數方面這是默認為CL3,可達CL2.5。除此而外,其還有金條PC4200(DDR533)等款產品。  

威剛(ADATA)

威剛的高頻內存有DDR450、460、500等。AdataDDR500是一款價格適宜的DDR500產品,CAS值為3,其沒有使用散熱片,在芯片上的標籤顯示了AdataID號,但是,建議不用,因為畢竟沒用散熱片,所以使用壽命較短。

OCZ

OCZ的高頻內存在市場上也越來越常見,如OCZ3700Gold,使用三星TCB3芯片,採用改良的散熱片,標上有OCZID號及標準速度,其可以達到DDR500的水準,在DDR400/500下其CAS值均為2.5,還算不錯。  

博帝  

博帝美國前三大零售領導品牌內存條供貨商之一,優質產品享譽全球。博帝更是JEDEC的成員,積極參與並支持JEDEC一貫對優質及可靠的要求。博帝亦是AppleDeveloperConnection的成員之一,產品獲Intel確認。

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